MPQ2222 CENTRAL SEMICONDUCTOR

Parámetro Símbolo Valor típico Unidad
Tipo de transistor — NPN (4 unidades) —
Voltaje máximo C‑E VCEO ~40 Vdc
Corriente de colector continua IC 500 mA
Potencia por transistor PD 650 mW
Ganancia de corriente DC hFE 100–300 —
Frecuencia de transición fT 200 MHz
Temperatura de operación — –65 °C a +150 °C °C
Encapsulado — TO‑116 / DIP‑14 —