Parámetro Símbolo Valor típico / máximo Unidad
Tipo — Transistor bipolar NPN —
Voltaje colector‑emisor máximo VCEO 15 Vdc
Voltaje colector‑emisor (sostenido) VCES 40 Vdc
Voltaje colector‑base máximo VCBO 40 Vdc
Voltaje emisor‑base máximo VEBO 4.5 Vdc
Corriente de colector continua IC 200 mA
Disipación de potencia PD 625 mW
Ganancia de corriente DC mínima hFE ~40 @ 10 mA —
Corriente de fuga de colector ICBO ~400 nA nA
Voltaje VCE(sat) típico — ~0.25 V @ 10 mA V
Frecuencia de transición fT ~500 MHz
Temperatura de operación — –55 °C a +150 °C °C
Encapsulado — TO‑92 / TO‑226‑3 (3 pines) —