1225-01 TOSHIBA

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Parámetro Valor típico / rango Descripción
Tipo de dispositivo Bipolar (BJT) o MOSFET Depende del fabricante, normalmente BJT para códigos simples
Polaridad NPN / PNP (si BJT) Determina flujo de corriente de colector a emisor
Voltaje máximo VCE / VDS 40 V – 600 V Según versión y fabricante
Corriente máxima IC / ID 0.5 A – 30 A Continua, depende del encapsulado
Encapsulado TO‑92, TO‑220, TO‑247, etc. Montaje según potencia
Ganancia (BJT) / RDS(on) (MOSFET) hFE ≈ 50–400 / RDS(on) bajo Influye en diseño del driver
Frecuencia máxima MHz Según tipo de transistor

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