| Tipo |
N-Channel Power MOSFET |
| Serie |
Super FAP-E3 |
| Paquete |
TO-3P (Q) |
| Máximos absolutos |
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| Tensión drenador-fuente (VDSS) |
500 V |
| Tensión puerta-fuente (VGSS) |
± 30 V |
| Corriente continua de drenador (ID) |
± 23 A |
| Corriente pulsada de drenador (IDP) |
± 92 A |
| Disipación de potencia máxima (PD) |
2.50 W (condición Ta=25°C) / 315 W (condición Tc=25°C) |
| Corriente de avalancha repetitiva / no repetitiva (IAR) |
23 A |
| Energía de avalancha no repetitiva (EAS) |
767.3 mJ |
| Energía de avalancha repetitiva (EAR) |
31.5 mJ |
| Recuperación de diodo – dV/dt pico |
9.3 kV/µs |
| Recuperación de diodo – -di/dt pico |
100 A/µs |
| Temperatura de unión (Tj) |
Hasta +150 °C |
| Temperatura de almacenamiento (Tstg) |
–55 a +150 °C |
| Características eléctricas (a Tc = 25 °C) |
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| Tensión de umbral de puerta (VGS(th)) |
2.5 – 3.5 V (típico ~3.0 V) |
| Corriente de fuga drenador (IDSS) |
Hasta ~25 µA (VDS = 500 V) |
| Resistencia drenador-fuente en conducción (RDS(on)) |
0.210 – 0.245 Ω @ ID = 11.5 A, VGS=10 V |
| Transconductancia (gfs) |
14 – 28 S @ ID = 11.5 A, VDS=25 V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) |
~3,500 – 5,250 pF @ VDS = 25 V, f = 1 MHz |
| Capacitancia de salida (Coss) |
~330 – 495 pF |
| Capacitancia de transferencia inversa (Crss) |
~24 – 36 pF |
| Tiempo de encendido / apagado |
td(on) ≈ 24–36 ns, tr ≈ 13–19.5 ns; td(off) ≈ 150–225 ns, tf ≈ 20–30 ns |
| Carga total de puerta (QG) |
93 – 139.5 nC (a ID=23A, VGS=10V) |
| Carga puerta-fuente (QGS) |
24 – 36 nC |
| Carga puerta-drenador |
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