| Tipo de transistor |
PNP, BJT de potencia |
| Encapsulado |
MT-200 (TO-3P modificado) |
| Tensión colector-emisor (Vceo) |
–180 V |
| Tensión colector-base (Vcbo) |
–180 V |
| Tensión emisor-base (Vebo) |
–5 V |
| Corriente máxima de colector (Ic) |
–17 A |
| Potencia máxima de disipación (Pc) |
200 W (Tc = 25 °C) |
| Temperatura máxima de unión (Tj) |
150 °C |
| Temperatura de almacenamiento |
–55 °C a +150 °C |
| Ganancia de corriente (hFE) |
30 mínimo a Ic = –8 A, Vce = –4 V |
| Voltaje de saturación VCE(sat) |
Máx. –2.0 V (Ib = –0.8 A, Ic = –8 A) |
| Frecuencia de transición (fT) |
40 MHz típica |
| Capacitancia Cobo |
500 pF típica |
| Resistencia térmica Rθjc |
0.75 °C/W |
| Peso |
~18 g |
