Parámetro	Valor / Especificación	Condición / Observación
Tipo de dispositivo	Transistor bipolar NPN Darlington	Silicio, potencia
Encapsulado	TO-220Fa	3 pines (Base, Colector, Emisor)
Tensión colector-emisores VCEO	40 V (mín)	Rango típico de ruptura
Tensión colector-base VCBO	60 V	No conducción
Tensión emisor-base VEBO	5 V	Reverse emitter-base
Corriente colector continua IC	3 A	Máximo absoluto
Corriente base IB	0.5 A	Máximo absoluto
Potencia de disipación PC	20 W (Tc=25 °C)	En disipador apropiado
Temperatura de unión Tj	–55 °C … +150 °C	Rango almacenamiento / operación
Voltaje de saturación VCE(sat)	≤ 1.5 V	@ IC = 2 A, IB = 4 mA
Voltaje de saturación base-emisor VBE(sat)	≤ 2.0 V	@ IC = 2 A, IB = 4 mA
Corriente de fuga colector ICBO	≤ 20 µA	@ VCB = 60 V
Corriente de fuga emisor IEBO	≤ 2.5 mA	@ VEB = 5 V
Ganancia de corriente DC hFE (min)	≥ 2000	@ IC = 1 A, VCE = 2 V
Ganancia de corriente DC hFE (min)	≥ 1000	@ IC = 3 A, VCE = 2 V
Tiempo de encendido ton	~0.1 µs	–
Tiempo de almacenamiento tstg	~1 µs	–
Tiempo de caída tf	~0.2 µs	–

2SD1413 TOSHIBA