Parámetro Rango típico / estimado Descripción
Tipo de transistor BJT NPN o MOSFET de canal N Depende del fabricante y encapsulado
Voltaje máximo VCE/VDS 30 V – 100 V Baja tensión, generalmente para señal
Corriente máxima IC/ID 0.1 A – 0.5 A Baja corriente de señal
Encapsulado SOT‑23, SOT‑323 o TO‑92 Muy pequeño, típico de montaje superficial o through-hole
Ganancia / RDS(on) hFE ≈ 50–300 / RDS(on) muy baja Depende del transistor exacto
Aplicaciones típicas Amplificación de señal, switching de baja corriente, circuitos lógicos Electrónica de consumo y control