Parámetro Especificación
Tipo de dispositivo IGBT N‑canal, nivel lógico con clamp de voltaje interno
Tensión colector‑emisor máxima (V_CES) 390 V
Corriente continua de colector (I_C) 14 A
Corriente de colector a T_C = 100 °C 12 A
Tensión puerta‑emisor máxima (V_GE) ±10 V
Potencia disipada máxima (P_D) 100 W
Temperatura de unión (T_J) –40 °C a +175 °C
Voltaje de saturación típico (V_CE(on)) ~2.2 V (V_GE = 5 V, I_C ≈ 14 A)
Carga de puerta (Gate Charge, Q_G) ~24 nC
Protecciones internas Protección ESD en la puerta, clamp de voltaje entre colector y puerta
Tiempos de conmutación Retardo de encendido/apagado ≈ 7 µs (apagado)
Corriente de energía de avalancha (EAS) 332 mJ (conmutación inductiva)
Paquete / Encapsulado TO-262 / TO-263 (D2PAK)
Aplicaciones típicas Driver de bobina de encendido automotriz, conmutación inductiva “self-clamped”