IRFI9530G VISHAY
| TRANSISTOR MOSFET CH-P IRFI9530G 100V 5.4A TO-220FP MARCA VISHAY |
| Parámetro | Valor típico / máximo | Descripción |
|---|---|---|
| Tipo de dispositivo | MOSFET de potencia, P‑Channel | Transistor de efecto de campo para potencia |
| Tensión drenador–fuente (VDSS) | −100 V | Máxima tensión entre drenador y fuente (negativa por ser P‑Channel) |
| Corriente continua de drenador (ID) | −7.7 A @ 25 °C | Corriente de conducción continua |
| Corriente pulsada de drenador (IDM) | −31 A | Pulsos breves según límite térmico |
| Voltaje compuerta–fuente (VGS) | ±20 V | Límite seguro en la compuerta |
| Resistencia drenador–fuente en conducción RDS(on) | ~0.30 Ω @ VGS=−10 V | Baja resistencia para reducción de pérdidas |
| Voltaje umbral de puerta (VGS(th)) | ~4 V | Tensión a la que empieza a conducir ligeramente |
| Carga total de puerta (Qg) | ~38 nC | Afecta velocidad de conmutación |
| Capacitancia de entrada (Ciss) | ~860 pF | Capacitancias internas |
| Potencia disipada (PD) | ~42 W | Con buen disipador |
| Encapsulado | TO‑220‑3 FULLPAK | Montaje Through‑Hole con aislamiento térmico integrado |
| Rango de temperatura de unión (TJ) | −55 °C a +175 °C | Rango operativo amplio |
| Aplicaciones típicas | Reguladores de potencia, control de cargas, conmutación de DC | Uso general en electrónica de potencia |
