| Tipo de dispositivo |
IGBT N‑canal, “Generation 4” |
| Tensión colector‑emisor máxima (V_CES) |
600 V |
| Corriente continua de colector (I_C) |
40 A (T_C = 25 °C) / 20 A (T_C = 100 °C) |
| Corriente de colector en pulso (I_CM) |
~160 A |
| Tensión puerta‑emisor máxima (V_GE) |
±20 V |
| Potencia disipada máxima (P_D) |
160 W |
| Temperatura de unión (T_J) |
–55 °C a +150 °C |
| Resistencia térmica unión‑caso (RθJC) |
~0.77 °C/W |
| Carga de puerta (Gate Charge, Q_G) |
~100 nC |
| Tiempos de conmutación |
td(on) ≈ 34 ns, td(off) ≈ 110 ns |
| Energía de conmutación |
E_on ≈ 320 µJ, E_off ≈ 350 µJ |
| Uso típico |
Fuentes conmutadas, control de motores, inversores, sistemas de potencia conmutados |
