Parámetro	Especificación
Tipo de dispositivo	IGBT N‑canal, “Generation 4”
Tensión colector‑emisor máxima (V_CES)	600 V
Corriente continua de colector (I_C)	40 A (T_C = 25 °C) / 20 A (T_C = 100 °C)
Corriente de colector en pulso (I_CM)	~160 A
Tensión puerta‑emisor máxima (V_GE)	±20 V
Potencia disipada máxima (P_D)	160 W
Temperatura de unión (T_J)	–55 °C a +150 °C
Resistencia térmica unión‑caso (RθJC)	~0.77 °C/W
Carga de puerta (Gate Charge, Q_G)	~100 nC
Tiempos de conmutación	td(on) ≈ 34 ns, td(off) ≈ 110 ns
Energía de conmutación	E_on ≈ 320 µJ, E_off ≈ 350 µJ
Uso típico	Fuentes conmutadas, control de motores, inversores, sistemas de potencia conmutados

IRG4BC40FS I&R