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Tipo de compuerta
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IGBT, MOSFET (canal N, canal P)
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Voltaje de la fuente
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4,5 V ~ 35 V
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Voltaje lógico – VIL, VIH
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0,8 V, 3 V
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Corriente – salida pico (fuente, disipación)
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4A, 4A
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Tipo de entrada
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No inversor
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Tiempo de subida/bajada
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9ns, 8ns
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Temperatura de funcionamiento
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−40°C ~ 125°C (TA)
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Tipo de montaje
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Orificio pasante
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Paquete / Caja (carcasa)
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8-DIP (0.300″, 7.62mm), 6 conductores
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Paquete del dispositivo del proveedor
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8-DIP
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