IXYH75N65C3H1 IXYS

  Tipo: IGBT + Diodo antiparalelo
   Tipo de canal del IGBT: N
Pc ⓘ – Disipación de potencia máxima: 750 W
|Vce|ⓘ – Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ – Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic| ⓘ – Corriente máxima de colector: 170 A a 25 °C
|VCEsat| ⓘ – Tensión de saturación colector-emisor, típica: 2,3 V a 25 °C
|VGEth| ⓘ – Tensión umbral GE máxima: 6 V
Tj ⓘ – Temperatura de unión máxima: 175 ℃
tr ⓘ – Tiempo de subida típico: 67 ns
Coes ⓘ – Capacitancia de salida típica: 307 pF
Qg ⓘ – Carga de puerta total típica: 123 nC
   Paquete: TO247