Parámetro Especificación / Valor
Nombre de parte MJ11021G
Tipo de componente Transistor bipolar de potencia (BJT)
Configuración Darlington PNP
Polaridad PNP
Encapsulado / Paquete TO‑3 / TO‑204 (Through‑Hole)
Voltaje colector‑emisor máximo (VCEO) 250 V mínimo (resistente)
Voltaje colector‑base máximo (VCBO) 250 V máximo
Voltaje emisor‑base máximo (VEBO) 50 V máximo
Corriente continua de colector (IC) 15 A
Corriente de colector pico (IC(pico)) ~30 A pulsada (aprox., según fuentes distribuidor)
Ganancia de corriente DC (hFE) ≥ 100 (mín), típica ≥ 400 @ 10 A, 5 V
Disipación de potencia (PD) 150 W (aprox.)
Caída de saturación VCE(sat) ~3.4 V @ 150 mA/15 A (máx)
Frecuencia de transición (fT) ~3 MHz (típico)
Temperatura de operación / unión (TJ) ~–65 °C a +150 °C
Tipo de montaje Through‑Hole (Agujero pasante)
Número de pines / terminales 2 pines + carcasa (colector)
Aplicaciones típicas Etapas de potencia, amplificadores, conmutación de baja frecuencia, control de motores

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