Parámetro Especificación / Valor
Nombre de parte MJ15004 (PNP), MJ15004G (versión sin plomo)
Tipo de componente Transistor bipolar de potencia (BJT)
Polaridad PNP
Encapsulado / Paquete TO‑3 (TO‑204), Through‑Hole
Voltaje colector‑emisor máximo (VCEO) 140 V
Voltaje colector‑base máximo (VCBO) 140 V
Voltaje emisor‑base máximo (VEBO) 5 V
Corriente continua de colector (IC) 20 A
Corriente continua de base (IB) ~5 A
Corriente continua de emisor (IE) ~25 A
Potencia disipada (PD) @ TC=25 °C 250 W
Derating de potencia 1.43 W/°C por encima de 25 °C
Ganancia de corriente DC (hFE) ≥ 25 (mín) @ IC=5 A
Frecuencia de transición (fT) ~2 MHz
Caída de saturación VCE(sat) ~1 V típica @ condiciones de prueba
Temperatura de operación / unión (TJ) –65 °C a +200 °C
Resistencia térmica unión‑carcasa (Rθjc) ~0.7 °C/W (máx)
Número de pines 2 (base y emisor; colector es la carcasa)
Aplicaciones típicas Amplificadores de potencia, etapas de salida lineales, diseños complementarios con MJ15003 (