Parámetro	Valor típico / máximo
Tipo	Transistor bipolar de potencia (BJT)
Polaridad	PNP
Encapsulado	TO‑3 metálico
Voltaje colector‑emisor máximo (VCEO)	120 V
Voltaje colector‑base máximo (VCBO)	200 V
Voltaje emisor‑base máximo (VEBO)	7 V
Corriente continua de colector (IC)	15 A
Corriente de base máxima (IB)	7 A
Potencia disipada (PD) @ TC = 25 °C	180 W
Ganancia de corriente DC (hFE)	20 – 70
Frecuencia de transición (fT)	~18 MHz
Voltaje de saturación VCE(sat)	1.1 – 5 V
Temperatura de operación (Tj)	−65 °C a +200 °C
Montaje	Through‑Hole (TO‑3)
Número de pines	2 pines + carcasa (colector)
Uso típico	Amplificadores de potencia, drivers de cargas grandes, fuentes de alimentación

MJ15016 ON