Parámetro Valor típico / máximo
Tipo Transistor bipolar de potencia (BJT)
Polaridad PNP
Encapsulado TO-220
Voltaje colector-emisor máximo (VCEO) 100 V
Voltaje colector-base máximo (VCBO) 100 V
Voltaje emisor-base máximo (VEB) 5 V
Corriente continua de colector (IC) 3–5 A
Potencia disipada (PD) @ TC = 25 °C 40 W
Ganancia de corriente DC (hFE) 40 – 100
Frecuencia de transición (fT) ~30 MHz
Voltaje de saturación VCE(sat) ~0.5 – 1 V
Corriente de fuga colector (ICBO) ~50 µA
Temperatura de operación −65 °C a +150 °C
Montaje Through-Hole
Número de pines 3 (Base – Colector – Emisor)
Uso típico Drivers de potencia, etapas de salida, amplificadores