Parámetro Valor típico / máximo
Tipo Transistor bipolar de potencia (BJT)
Polaridad NPN
Encapsulado TO-3 / TO-204 metálico
Voltaje colector-emisor máximo (VCEO) 200 V
Voltaje colector-base máximo (VCBO) 300 V
Voltaje emisor-base máximo (VEBO) 6 V
Corriente continua de colector (IC) 30 A
Corriente pico de colector (ICM) ~40 A (en pulsos)
Potencia disipada (PD) @ TC=25 °C 250 W
Ganancia de corriente DC mínima (hFE) ~10 (valor típico bajo corriente alta)
Voltaje de saturación VCE(sat) ~1.5–3 V (depende de IC/IB)
Temperatura de operación (TJ) −65 °C a +200 °C
Resistencia térmica jun-a-carcasa (RθJC) ≈ 0.8–1.2 °C/W
Montaje Through-Hole (pines + carcasa colector)
Número de pines 2 pines + carcasa colector
Uso típico Amplificadores de potencia, fuentes de alimentación, control de motores y cargas grandes