Parámetro	Valor típico / máximo
Tipo	Transistor bipolar de potencia (BJT)
Polaridad	NPN
Encapsulado	TO‑3 / TO‑204 (metálico)
Voltaje colector‑emisor máximo (VCEO)	250 V
Voltaje colector‑base máximo (VCBO)	400 V
Voltaje emisor‑base máximo (VEBO)	5 V
Corriente continua de colector (IC)	16 A
Corriente pico de colector (ICM)	~30 A
Potencia disipada (PD) @ TC = 25 °C	250 W
Ganancia DC mínima (hFE)	≥ 25 @ IC = 8 A
Frecuencia de transición (fT)	~4 MHz
Voltaje de saturación VCE(sat)	1.4–4 V (aprox., depende de IC/IB)
Corriente de fuga colector (ICBO)	~100 µA máx.
Temperatura de operación	−65 °C a +200 °C
Montaje	Through‑Hole (pines + carcasa colector)
Número de pines	2 pines (+ carcasa como colector)
Uso típico	Amplificadores de potencia, fuentes de alimentación, aplicaciones lineales exigentes

MJ21194G ON