| Tipo |
Transistor bipolar (BJT) |
| Polaridad |
NPN |
| Encapsulado |
TO‑3 (metálico) |
| Voltaje colector‑emisor máximo (VCEO) |
80 V |
| Voltaje colector‑base máximo (VCBO) |
100 V |
| Voltaje emisor‑base máximo (VEBO) |
5 V |
| Corriente continua de colector (IC) |
10 A |
| Corriente de base (IB) |
2 A |
| Potencia disipada (PD) @ TC=25 °C |
150 W |
| Ganancia DC (hFE típica) |
100–1000 (Darlington) |
| Voltaje de saturación VCE(sat) |
2–4 V |
| Temperatura de operación (TJ) |
−65 °C a +200 °C |
| Resistencia térmica jun‑a‑carcasa (RθJC) |
~1.17 °C/W |
| Uso típico |
Amplificadores de potencia, etapas de salida, fuentes de alimentación |
