Parámetro Valor
Tipo Transistor bipolar (BJT)
Polaridad NPN
Encapsulado TO‑3
Voltaje colector‑emisor (VCEO) 800 V
Voltaje colector‑base (VCBO) 900 V
Voltaje emisor‑base (VEBO) 9 V
Corriente continua de colector (IC) 8 A
Corriente pico de colector (ICM) 16 A
Potencia disipada (PD) ~175 W (con disipador adecuado)
Ganancia DC (hFE típica) ~30 – 100
Frecuencia de transición (fT) ~2 – 5 MHz
Voltaje de saturación VCE(sat) ≈ 1.2–2 V (depende de IC/IB)
Temperatura de operación −65 °C a +150 °C
Encapsulado / montaje TO‑3 / Through‑Hole
Pinout Base, Colector, Emisor (según carcasa TO‑3)
Uso típico Etapas de potencia, amplificadores, fuentes de alta tensión

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