| Parámetro | Especificación |
|---|---|
| Número de parte | MJE182G |
| Tipo de transistor | BJT, NPN de potencia media |
| Encapsulado | TO-126 / TO-225-3 (Through-Hole) |
| Polaridad | NPN |
| Corriente continua de colector (Ic) | 1 A |
| Corriente pico del colector (ICM) | ~2 A (pulsada) |
| Voltaje colector-emisor máximo (Vceo) | 80 V |
| Voltaje colector-base máximo (Vcbo) | 80 V |
| Voltaje emisor-base máximo (Vebo) | 5 V |
| Disipación máxima de potencia (Pd) | 25 W |
| Ganancia de corriente DC (hFE) | 40 – 160 (según Ic) |
| Tensión de saturación Vce(sat) | ~1 V @ Ic 1 A |
| Frecuencia de transición (fT) | ~5 MHz |
| Temperatura de operación (Tj) | –65 °C a +150 °C |
| Número de pines | 3 (Base, Colector, Emisor) |
| Aplicaciones típicas | Drivers de amplificadores, etapas intermedias de audio, regulación y conmutación |
| Complementario típico | MJE180G (PNP) |
| Observaciones | Versión G: libre de plomo (RoHS) |
