Parámetro Especificación
Número de parte MJE340
Tipo de transistor BJT, NPN de potencia
Encapsulado TO-126 / TO-225-3 (Through-Hole)
Polaridad NPN
Corriente continua de colector (Ic) 0.5 A
Corriente pico del colector (ICM) ~1 A (pulsada)
Voltaje colector-emisor máximo (Vceo) 300 V
Voltaje colector-base máximo (Vcbo) 300 V
Voltaje emisor-base máximo (Vebo) 5 V
Disipación máxima de potencia (Pd) 20 W
Ganancia de corriente DC (hFE) 30 – 240 (según Ic)
Tensión de saturación Vce(sat) ~1 V @ Ic 0.5 A
Frecuencia de transición (fT) ~10 MHz
Temperatura de operación (Tj) –65 °C a +150 °C
Número de pines 3 (Base, Colector, Emisor)
Aplicaciones típicas Etapas de ganancia de voltaje, drivers de amplificadores, fuentes conmutadas
Complementario típico MJE350 (PNP)

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