Parámetro Especificación
Número de parte MJE521
Tipo de transistor BJT, NPN de potencia
Encapsulado TO‑225AA / TO‑126‑3 (Through‑Hole)
Polaridad NPN
Corriente continua de colector (Ic) 4 A
Corriente pico del colector (ICM) 8 A (pulsada, < 5 ms)
Voltaje colector‑emisor máximo (Vceo) 40 V
Voltaje colector‑base máximo (Vcbo) 40 V
Voltaje emisor‑base máximo (Vebo) 4 V
Disipación máxima de potencia (Pd) 40 W
Ganancia de corriente DC mínima (hFE) ≥ 40 @ 1 A, 1 V
Corriente de fuga del colector (ICBO) ≈ 100 µA típica
Temperatura de operación (Tj) –65 °C a +150 °C
Frecuencia de transición (fT) No especificada
Número de pines 3 (Base, Colector, Emisor)
Aplicaciones típicas Amplificadores de audio, amplificación general y conmutación
Observaciones Producto obsoleto; la versión moderna suele llevar sufijo G para Pb‑free