Parámetro	Símbolo	Valor / Rango
Tipo / Descripción	—	Módulo IGBT (PIM) TrenchSTOP IGBT3
Voltaje colector‑emisor máximo	VCE	1200 V
Corriente máxima de colector	IC,max	27 A
Tensión puerta‑emisor máxima	VGE	±20 V
Caída colector‑emisor en saturación	VCE(sat) máx.	2.15 V
Potencia de disipación máxima	Ptot	89 W
Tiempo de encendido (ton)	ton	~97 ns
Tiempo de apagado (toff)	toff	~508 ns
Temperatura de operación (junción)	Tj,op	hasta 150 °C
Resistencia térmica unión‑a‑caso	RθJC	≤ ~0.88 K/W
Corriente de fuga colector‑emisor	ICES	~1 mA
Corriente de fuga puerta‑emisor	IGES	~100 nA
Tensión umbral de puerta	VGE(th)	~5,0 … 6,5 V
Carga de puerta	QG	~0,10 µC
Capacitancia de entrada	Cies	~0,60 nF
Capacitancia de transferencia inversa	Cres	~0,026 nF
Cortocircuito permitido (ISC)	—	~60 A con t ≤ 10 µs (condiciones típicas)

FP15R12KE3 INFINEON