Parámetro	Símbolo	Valor / Rango
Tipo / Descripción	—	Módulo IPM trifásico (CIPOS Mini) con IGBT + diodos + driver + NTC
Tensión colector‑emisor máx.	VCE	600 V
Corriente de salida continua	IO	± 15 A
Potencia motórica (10 kHz)	Pmot	1 200 W
Temperatura de unión operativa	Tj	–40 … +150 °C
Resistencia térmica unión‑a‑caso (IGBT)	RθJC	4.31 K/W
Caída colector‑emisor en saturación VCE(sat)	—	1.6 … 1.8 V (10 A, 25 °C) / hasta ~2.0 V (a 150 °C)
Caída directa del diodo integrado	VF	1.75 … 1.8 V (10 A, 25 °C) / hasta ~2.2 V (a 150 °C)
Corriente de fuga colector‑emisor	ICES	hasta 1 mA (a VCE = 600 V)
Tensión de suministro del driver (VDD)	—	–1 … +20 V
Tensión flotante de bootstrap (VB vs VS)	—	–1 … +20 V
Tiempo de retardo encendido “turn‑on”	ton	~630 ns
Tiempo de subida “rise”	tr	~30 ns
Tiempo de apagado “turn‑off”	toff	~900 ns
Tiempo de caída “fall”	tf	~150 ns
Tiempo de cortocircuito permitido	tSCP	~5 µs
Termistor NTC integrado	—	≈ 85 kΩ a 25 °C; constante B ≈ 4 092 K

IGCM15F60GA LS