Parámetro Símbolo Valor típico / máximo Unidad
Tipo de transistor PNP
Voltaje colector‑emisor máximo VCEO 80 V
Voltaje colector‑base máximo VCBO 80 V
Voltaje emisor‑base máximo VEBO 5 V
Corriente de colector máxima IC 800 mA – 1 A mA
Potencia máxima disipada PD 625 mW
Ganancia de corriente DC (mín.) hFE ~50 @ 10 mA, 10 V
Corriente de fuga de colector ICBO ~50 nA nA
Temperatura de unión operativa TJ –55 °C a +150 °C °C
Encapsulado TO‑92 (TO‑226‑3)

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