| Tipo |
NPN BJT |
Transistor bipolar de propósito general |
| Encapsulado |
TO‑92 |
Montaje a través de orificio |
| Aplicación |
Amplificación / Switching |
Señales pequeñas |
| Tensión Colector‑Emisor (Vceo) |
40 V |
Máximo voltaje entre C y E |
| Tensión Colector‑Base (Vcbo) |
60 V |
Máximo voltaje entre C y B |
| Tensión Emisor‑Base (Vebo) |
6 V |
Máximo voltaje entre E y B |
| Corriente Colector continua (Ic) |
200 mA |
Corriente máxima continua |
| Potencia disipada (Pd) |
625 mW |
Máxima potencia en operación |
| Ganancia DC (hFE) |
~250 – 700 |
Depende de condiciones de prueba |
| Ruido / Bajo ruido |
Sí — bajo ruido |
Apto para audio/pequeñas señales |
| Capacitancias de entrada/salida |
Buena para señal |
Valores típicos bajos (pF) |
| Temperatura de operación |
−65 °C a +150 °C |
Amplio rango térmico |
