| Tipo de dispositivo |
— |
Transistor bipolar PNP |
— |
| Encapsulado típico |
— |
TO‑202 / similar de potencia |
— |
| Voltaje colector‑emisor máximo |
VCEO |
80 |
V |
| Voltaje colector‑base máximo |
VCBO |
80 |
V |
| Voltaje emisor‑base máximo |
VEBO |
5 |
V |
| Corriente continua de colector |
IC |
2.0 |
A |
| Corriente de pulso de colector |
ICM |
≈3.0 |
A (pulsada) |
| Potencia total disipada |
PD |
~10 |
W |
| Ganancia de corriente continua típica |
hFE |
~50 – 100 |
— |
| Saturación colector‑emisor |
VCE(sat) |
~0.3 – 0.6 |
V (típ.) |
| Frecuencia de transición |
fT |
~50 |
MHz |
| Temperatura de unión máxima |
TJ |
150 |
°C |
| Temperatura de almacenamiento |
TSTG |
−55 a +150 |
°C |
| Número de pines |
— |
3 (E, B, C) |
— |
| Tipo de montaje |
— |
Through‑Hole |
— |
| Zona de uso típica |
— |
Amplificación y conmutación de potencia media |
— |
