Parámetro Símbolo Valor Unidad Condición
Tipo de transistor NPN
Encapsulado TO-92
Voltaje colector-emisor máx. VCEO 30 V
Voltaje colector-base máx. VCBO 50 V
Voltaje emisor-base máx. VEBO 5 V
Corriente de colector máx. IC 100 mA
Disipación de potencia PD 400 mW TA = 25 °C
Ganancia de corriente DC hFE 100 – 300 IC típico
Frecuencia de transición fT ≈ 100 MHz
Voltaje C-E en saturación VCE(sat) 0.2 – 0.3 V IC ≈ 10 mA
Corriente de fuga C-E ICBO ≤ 50 nA
Temperatura de operación TJ −55 a +150 °C