| Tipo de dispositivo |
MOSFET de potencia N‑Channel |
| Voltaje drenador‑fuente (VDSS) |
60 V |
| Voltaje compuerta‑fuente máximo (VGS) |
±20 V |
| Corriente continua del drenador (ID) |
25 A |
| Corriente de pulso (ID pulse) |
~75 A |
| Resistencia ON RDS(on) |
~0.07 Ω (máx) |
| Disipación de potencia (PD) |
2 W (caso) o hasta ~30 W (con disipación adecuada) |
| Energía de avalancha (EAS) |
~15.6 mJ |
| Capacitancia de entrada (Ciss) |
~790 pF (típica) |
| Temperatura de operación |
–55 °C a +150 °C |
| Encapsulado |
TO‑220 (aislado) |
| Polaridad / Canal |
Canal N |
| Aplicaciones típicas |
Conmutación de potencia, convertidores DC‑DC, control de motor |
