| Parámetro | Valor / Descripción |
|---|---|
| Tipo de dispositivo | Transistor bipolar NPN (según catálogo de componentes) |
| Voltaje colector‑emisor máximo (VCEO) | ~55 V (según listado) |
| Voltaje colector‑base máximo (VCBO) | ~100 V (según listado) |
| Corriente continua del colector (IC) | ~3 A (según listado) |
| Potencia máxima de disipación | ~25 W (según listado) |
| Encapsulado típico | TO‑8 metal (según listado) |
| Aplicaciones típicas | Conmutación y amplificación de media potencia |
| Observaciones | Puede verse como transistor bipolar NPN, no como MOSFET de potencia |
