Parámetro	Símbolo	Valor típico / máximo	Unidades
Tipo de dispositivo	—	MOSFET canal N	—
Tensión drenaje-fuente	VDSS	100	V
Tensión puerta-fuente máxima	VGS(max)	±20	V
Corriente de drenaje continua (TC=25 °C)	ID	70	A
Resistencia drenaje-fuente en conducción (RDS(on) máx.)	—	0.023	Ω @ VGS=10 V
RDS(on) típica	—	~0.018	Ω
Power Dissipation (Tc)	PD	300	W
Temperatura de operación	TJ	−55 … +175	°C
Gate Charge (Qg) (Max)	—	195	nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max)	—	4870	pF @ 25 V
Pinout	—	G (gate), D (drain), S (source)	—
Estado del producto	—	Obsoleto / descontinuado	—

SSH70N10A FSC