| Tipo de dispositivo |
MOSFET de potencia, N‑Channel |
Transistor de efecto de campo de potencia |
| Tensión drenador‑fuente (VDS) |
75 V |
Máxima tensión entre drenador y fuente |
| Corriente de drenador continua (ID) |
140 A |
Corriente máxima a TJ = 25 °C |
| Corriente de drenador pulsada (IDM) |
560 A |
Pulsos cortos según SOA |
| Tensión de compuerta‑fuente (VGS) |
±20 V |
Máximo seguro en la puerta |
| Resistencia drenador‑fuente RDS(on) @ VGS=10 V |
4.5 mΩ |
Muy baja, para minimizar pérdidas |
| Capacitancia de entrada (Ciss) |
17 nF (aprox.) |
Para cálculo de velocidad de conmutación |
| Capacitancia de salida (Coss) |
3.5 nF |
Capacitiva, influye en switching |
| Tiempo de encendido (ton) |
~50 ns |
Indicativo, rápido switching |
| Tiempo de apagado (toff) |
~80 ns |
Indicativo, rápido switching |
| Potencia disipada (PD) |
450 W |
Con disipador adecuado |
| Temperatura de unión (TJ) |
−55 °C a +150 °C |
Rango operativo |
| Encapsulado |
TO‑247 |
Para montaje con disipador |
| Aplicaciones típicas |
Fuentes conmutadas, control motor, inversores, convertidores DC‑DC |
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