Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 voltios
Corriente – Drenaje continuo (Id) a 25 °C
Voltaje de accionamiento (Rds máx. activado, Rds mín. activado)
6 V, 10 V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs
30 mOhm a 15 A, 10 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id
4 V a 250 µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) a Vgs
60 nC a 10 V
Vgs (máx.)
±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds
2400 pF a 25 V
Característica FET
Disipación de potencia (máx.)
3,75 W (Ta), 107 W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55 °C ~ 175 °C (TJ)

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