SUP75N08-10 VISHAY
TRANSISTOR MOSFET CH-N SUP75N08-10 80A 80V TO-220-3 MARCA VISHAY
Número de Parte: SUP75N08-10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ – Máxima disipación de potencia: 180 W
|Vds|ⓘ – Voltaje máximo drenador – fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ – Voltaje máximo fuente – puerta: 20 V
|Id|ⓘ – Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ – Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ – Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.5 V
Qgⓘ – Carga de la puerta: 35.5 nC
trⓘ – Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ – Capacitancia de salida: 1120 pF
Rds(on)ⓘ – Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065(typ) Ohm
