Parámetro	Valor típico	Notas
Tipo	Transistor NPN de potencia	BJT para aplicaciones de alta corriente
Vceo (tensión colector-emisor)	800 V	Alta resistencia a la ruptura
Vebo (tensión emisor-base)	5 V	Límite para la base-emisor
Ic (corriente de colector)	8 A	Corriente de colector máxima
Ptot (potencia máxima)	30 W	Alta disipación de potencia
Temperatura de operación	Hasta 150°C	Alta tolerancia térmica
Encapsulado	TO-220	Paquete estándar para potencia
Aplicaciones	Deflexión horizontal en TVs CRT	Ideal para circuitos de alta tensión

TT2170 SANYO