Característica Especificación
Tipo de transistor PNP BJT (Bipolar Junction Transistor)
Paquete / Encapsulado TO‑92 / E‑Line (through‑hole)
Voltaje colector‑emisor (VCEO) –100 V
Voltaje colector‑base (VCBO) –120 V
Voltaje emisor‑base (VEBO) –5 V
Corriente colector continua (IC) –2 A
Disipación de potencia (PD) ~1 W
Frecuencia de transición (fT) ~140 MHz
Rango de temperatura de operación –55 °C a +200 °C
Aplicaciones típicas Amplificación de señal, conmutación de baja/mediana potencia, proyectos electrónicos generales
Notas Corriente entra por el emisor y sale por el colector; reemplazable por PNP con voltaje, corriente y ganancia similares

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