Parámetro Descripción
Tipo de componente Transistor bipolar de unión (BJT)
Polaridad PNP
Encapsulado TO-92
Tensión colector-emisor (Vceo) 80 V
Corriente de colector (Ic) 1 A
Ganancia de corriente (hFE) 40 – 300 (dependiendo de Ic)
Potencia de disipación (Pc) 1 W
Frecuencia de transición (fT) 100 MHz
Aplicaciones típicas Amplificación de señal, drivers, conmutación de media potencia
Fabricante común Zetex / Diodes Inc.

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