Parámetro Descripción
Tipo de componente Transistor MOSFET
Canal N-Channel
Tecnología MOSFET de pequeña señal
Encapsulado TO-92
Tensión drenador-fuente (VDS) 60 V
Corriente de drenador (ID) 0.3 A
Potencia de disipación (PD) ≈ 0.7 W
Resistencia RDS(on) ≈ 8 Ω (VGS = 10 V)
Tensión umbral VGS(th) 2 a 4 V
Velocidad Conmutación rápida
Aplicaciones típicas Conmutación de señales, drivers, control de cargas pequeñas
Fabricante común Zetex / Diodes Inc.