Parámetro Descripción
Tipo de componente Transistor MOSFET
Canal P-Channel
Tecnología MOSFET de potencia
Encapsulado TO-92
Tensión drenador-fuente (VDS) −60 V
Corriente de drenador (ID) −0.5 A
Potencia de disipación (PD) ≈ 0.7 W
Resistencia RDS(on) ≈ 5 Ω (VGS = −10 V)
Tensión umbral (VGS(th)) −2 a −4 V
Frecuencia Uso en baja/mediana frecuencia
Aplicaciones típicas Conmutación de señales, control de carga, fuentes pequeñas
Fabricante común Zetex / Diodes Inc.