Parámetro	Símbolo	Valor / Condición	Unidades
Voltaje colector-emisor máximo	VCE	650	V
Voltaje puerta-emisor máximo	VGE	±30	V
Corriente continua (Tj=25 °C)	IC	100	A
Corriente continua (Tj=100 °C)	IC	50	A
Corriente pulsada	ICM	200	A
Corriente de diodo (Tj=25 °C)	IF	40	A
Corriente de diodo pulsada	IFM	80	A
Potencia máxima disipada (Tj=25 °C)	Ptot	320	W
Potencia disipada (Tj=100 °C)	Ptot	160	W
Temperatura de operación	Tj	−45 … +175	°C
Temperatura de almacenamiento	Tstg	−45 … +150	°C
Voltaje de saturación típico (IC=50 A, Tj=25 °C)	VCE(sat)	~2.0	V
Coeficiente de temperatura	–	Positivo	–

G50T65D WXDH