| Tipo de dispositivo |
IGBT N‑Channel Field Stop |
Transistor bipolar de puerta aislada |
| Voltaje colector‑emisor máximo (VCES) |
600 |
V |
| Voltaje puerta‑emisor máximo (VGES) |
±20 |
V |
| Corriente continua de colector (IC) |
120 |
A |
| Corriente pulsada de colector (ICM) |
180 |
A (picos cortos) |
| Potencia máxima disipada |
298 |
W |
| Voltaje de saturación C‑E típico (VCE(on)) |
~2.4 |
V @ VGE=15 V, 60 A |
| Carga total de puerta (Qg) |
188 |
nC |
| Tiempos de conmutación (Td on / Td off) |
23 ns / 130 ns |
Encendido / apagado típicos |
| Energía de conmutación |
~1.81 mJ / 0.81 mJ |
Energía típica on y off |
| Tiempo de recuperación inversa del diodo (trr) |
~47 |
ns |
| Temperatura de operación (Tj) |
−55 a +150 |
°C |
| Encapsulado / Paquete |
TO‑3P‑3 (SC‑65‑3) |
Montaje through hole |
| Estado de la pieza |
Obsoleto / fuera de producción |
Uso en repuestos o stock |
