Parámetro	Valor típico	Descripción
Tipo	IGBT canal N	Transistor bipolar de puerta aislada
V_CES máx.	600 V	Voltaje colector–emisor máximo
I_C continuo	50 A	Corriente máxima continua
I_C pulso (I_CM)	100–150 A	Corriente pico según fabricante
V_GE máx.	±20 V	Voltaje puerta–emisor máximo
V_CE(sat)	1.6–2.2 V	Caída típica al conducir
Frecuencia típica	20–40 kHz	Uso en SMPS e inversores
Encapsulado	TO-247 / TO-3P	Encapsulado de potencia
Aplicaciones	SMPS, inversores, UPS, control de motores	Uso industrial típico

K50T60 INFINEON