| Tipo de dispositivo |
IGBT N‑Channel Field Stop Trench |
Transistor bipolar de puerta aislada |
| Voltaje colector‑emisor máximo (VCES) |
650 |
V |
| Voltaje puerta‑emisor máximo (VGES) |
±20 (transitorio ±30) |
V |
| Corriente continua de colector |
120 A (a 25 °C) |
A |
| Corriente continua de colector |
60 A (a 100 °C) |
A |
| Corriente pulsada de colector |
180 A |
A (picos cortos) |
| Potencia máxima disipada |
306 W (a 25 °C) / 153 W (a 100 °C) |
W |
| Temperatura de operación (Tj) |
–55 … +175 |
°C |
| Voltaje de saturación C‑E típico (VCE(sat)) |
1.8 V @ 60 A |
V |
| Carga total de puerta (Qg) |
~84 |
nC |
| Tiempos típicos de conmutación (encendido / apagado) |
~26 ns / ~71 ns |
ns |
| Energía de conmutación (on/off) |
~2.46 mJ / ~0.52 mJ |
Energía típica |
| Tiempo de recuperación inversa del diodo (trr) |
~110 |
ns |
| Encapsulado |
TO‑3PN (TO‑3P‑3 / SC‑65‑3) |
Montaje through hole |
| Temperatura de almacenamiento |
–55 … +175 |
°C |
