Parámetro	Valor
Tipo	IGBT canal N, PowerMESH, con diodo antiparalelo interno
Tensión colector‑emisor máxima (V_CES)	600 V
Tensión gate‑emisor máxima (V_GE)	±20 V
Corriente continua de colector (I_C, T_C = 25 °C)	40 A
Corriente continua de colector (I_C, T_C = 100 °C)	20 A
Corriente pulsada de colector (I_CM)	160 A
Disipación máxima de potencia (P_tot, T_C = 25 °C)	150 W
Temperatura de unión / operación (T_j)	–65 °C … +150 °C
Rango de almacenamiento (T_stg)	–65 °C … +150 °C

STWG20NB60HD ST-M