| Tipo / Tecnología |
IGBT “Trench” de baja conducción / switching rápido |
| Voltaje máx. colector-emisor (V_CES / V_CEO) |
360 V |
| Tensión máx. gate-emisor (V_GES) |
± 30 V |
| Corriente continua nominal de colector (IC @ 25 °C) |
50 A |
| Corriente de pulso (IC pulse) máxima |
220 A |
| Caída saturación colector-emisor (VCE(sat)) |
~ 1.59 V @ IC = 50 A, condiciones típicas |
| Potencia máxima disipada (PD @ TC = 25 °C) |
125 W |
| Potencia disipada a 100 °C (TC = 100 °C) |
50 W |
| Rango de temperatura de operación (junction / almacenamiento) |
–55 °C a +150 °C |
| Paquete / Encapsulado / Montaje |
TO-252 / D-PAK (montaje superficial / SMD) |
| Tipo de configuración |
Single IGBT (un sólo transistor) con diodo integrado (en algunas versiones) |
| Otras características destacadas |
Alta corriente, baja caída saturación, switching rápido, buena relación conducción / conmutación, uso general en electrónica de potencia. |
