JT075N065WED JSMC

Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
   Pcⓘ – Máxima potencia disipada: 539 W
|Vce|ⓘ – Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ – Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ – Colector de Corriente Continua a 25℃: 150 A
|VCEsat|ⓘ – Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.75 V @25℃
|VGEth|ⓘ – Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ – Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ – Tiempo de subida, typ: 40 nS
Coesⓘ – Capacitancia de salida, typ: 430 pF
Qgⓘ – Carga total de la puerta, typ: 27.4 nC
Paquete / Cubierta: TO247