Parámetro técnico Símbolo Valor / Especificación Unidad
Número de parte MJ10021
Tipo de dispositivo Transistor NPN Darlington con diodo de aceleración base‑emisor
Voltaje colector‑emisor (máx) VCEO 250 V
Voltaje colector‑emisor de sustentación VCEV(sus) 350 V
Voltaje emisor‑base (máx) VEBO 8.0 V
Corriente continua del colector (máx) IC 60 A
Corriente pico del colector ICM 100 A
Ganancia de corriente DC mínima hFE ≥ 75
Corriente de corte del colector (máx) ICBO ~0.25 mA
Potencia disipada (máx) @ TC=25 °C PD 250 W
Potencia disipada a 100 °C 143 W
Derating por temperatura 1.43 W/°C
Rango de temperatura de operación (junção) TJ -65 a +200 °C
Resistencia térmica, junção‑a‑case RθJC 0.7 °C/W
Encapsulado / Montaje TO‑3 (Through‑Hole)
Aplicaciones típicas Reguladores conmutados, control de motores, inversores, drivers de relé