Parámetro técnico Símbolo Valor / Especificación Unidad
Número de parte MJ10023
Tipo de dispositivo Transistor NPN Darlington
Voltaje colector‑emisor (máx) VCEO 400 V
Voltaje colector‑emisor pico VCESM 600 V
Corriente continua del colector (máx) IC 40 A
Corriente de pico del colector ICM 80 A
Ganancia de corriente DC mínima hFE ≥ 50 (típ)
Voltaje base‑emisor (máx) VEBO 8 V
Potencia disipada (máx) PD 250 W
Temperatura de juncción (máx) TJ 200 °C
Temperatura de operación (mín) TA ‑65 °C
Encapsulado / Montaje TO‑3 (TO‑204AE), Through‑Hole
Diodo base‑emisor integrado Sí (speed‑up diode)
Aplicaciones típicas Reguladores conmutados, control de motores, inversores

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