| Tipo |
Transistor bipolar (BJT) |
| Configuración |
Darlington NPN |
| Polaridad |
NPN |
| Encapsulado |
TO‑3 (TO‑204AA) |
| Voltaje colector‑emisor máximo (VCEO) |
100 V |
| Voltaje colector‑base máximo (VCBO) |
100 V |
| Voltaje emisor‑base máximo (VEBO) |
5 V |
| Corriente continua de colector (IC) |
16 A |
| Potencia disipada (PD) @ TC = 25 °C |
150 W |
| Ganancia DC (hFE mínima) |
≥ 1000 (a IC ≈ 10 A) |
| Voltaje de saturación VCE(sat) |
≈ 2.5 – 4 V (depende de IC/IB) |
| Corriente de corte ICBO |
~1 – 5 mA (según temperatura) |
| Temperatura de operación (Tj) |
hasta 200 °C |
| Resistencia térmica RθJC |
aprox. 1.17 °C/W |
| Uso típico |
Amplificación de potencia, fuentes de alimentación, control de cargas pesadas |
